中芯国际推出28纳米HKMG制程 与联芯打造智能手机SoC芯片

作者:高冰莹 来源:中芯国际集成电路制造有限公司
2016-02-16 17:29:00

上海2016年2月16日电 /美通社/ -- 中芯国际集成电路制造有限公司(简称“中芯国际”,纽约证交所股票代码:SMI,香港联交所股票代码:981),与大唐电信科技产业集团旗下联芯科技有限公司(简称“联芯科技”),近日共同宣布,中芯国际28纳米高介电常数金属闸极(HKMG)制程已成功流片,基于此平台,联芯科技推出适用于智能手机等领域的28纳米SoC芯片,包括高性能应用处理器和移动基带功能,目前已通过验证,准备进入量产阶段。

中芯国际董事长周子学博士与大唐电信科技产业集团董事长、总裁真才基使用中国品牌智能手机,该手机搭载了联芯科技28纳米 4G SoC 芯片,该芯片基于中芯国际28纳米HKMG技术平台打造。

中芯国际是中国大陆首家能够同时提供28纳米多晶硅(PolySiON)和HKMG制程的晶圆代工企业。与传统的PolySiON制程相比,中芯国际28纳米HKMG技术将有效改善驱动能力,进而提升晶体管的性能,同时大幅降低栅极漏电量。基于中芯国际28纳米HKMG制程平台,联芯科技推出的智能手机SoC芯片拥有更高的性能、更快的速度以及更低的功耗,CPU主频达1.6GHz。延续联芯科技在4G移动通信市场的佳绩,该芯片的面世将推动搭载“中国芯”的智能手机进一步扩大市场份额。

中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云表示,“很高兴能与联芯科技在28纳米HKMG平台进行合作,共同打造先进的智能手机SoC芯片。继采用中芯国际28纳米PolySiON制程的芯片加载主流智能手机后,我们的28纳米HKMG工艺也获得了终端客户的认可,商用在即。我们还将持续进行28纳米技术平台的开发及改善,预计将在2016年底推出基于HKMG制程的紧凑加强型版本,为客户提供更多优化的制程选择。”

联芯科技总经理钱国良表示,“联芯科技始终致力于3G/4G移动互联网终端核心技术的研发与应用,并坚持与产业链合作伙伴一起紧密协作,打造品质一流的芯片产品。此次与中芯国际在28纳米HKMG领域的合作,可谓产业协同,强强联合,将有力地推动国产芯片技术的发展。同时,此举将直接帮助联芯科技的芯片产品进一步提升性价比,服务于智能手机、智能汽车,以及机器人等领域,服务‘中国制造2025’。未来,我们还将与中芯国际继续强化合作,在更先进的技术节点上共同开发高性能的芯片产品。”

关于中芯国际(SMIC)

中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽交所代号:SMI,港交所股份代号:981),是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一,也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到28纳米晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位于上海,在上海建有一座300mm晶圆厂和一座200mm超大规模晶圆厂;在北京建有一座300mm超大规模晶圆厂,一座控股的300mm先进制程晶圆厂正在开发中;在天津和深圳各建有一座200mm晶圆厂。中芯国际还在美国、欧洲、日本和台湾地区设立营销办事处、提供客户服务,同时在香港设立了代表处。详细信息请参考中芯国际网站 www.smics.com。

安全港声明

(根据1995私人有价证券诉讼改革法案)

本文件可能载有(除历史资料外)依据美国一九九五年私人有价证券诉讼改革法案“安全港”条文所界定的“前瞻性陈述”。该等前瞻性陈述乃基于中芯国际对未来事件的现行假设、期望及预测。中芯国际使用“相信”、“预期”、“计划”、“估计”、“预计”、“预测”及类似表述为该等前瞻性陈述之标识,但并非所有前瞻性陈述均包含上述字眼。该等前瞻性陈述乃反映中芯国际高级管理层根据最佳判断作出的估计,存在重大已知及未知的风险、不确定性以及其它可能导致中芯国际实际业绩、财务状况或经营结果与前瞻性陈述所载资料有重大差异的因素,包括(但不限于)与半导体行业周期及市况有关风险、激烈竞争、中芯国际客户能否及时接受晶圆产品、能否及时引进新技术、中芯国际量产新产品的能力、半导体代工服务供求情况、行业产能过剩、设备、零件及原材料短缺、制造产能供给、终端市场的金融情况是否稳定和高科技巿场常见的知识产权诉讼。

除本文件所载的资料外,阁下亦应考虑本公司向证券交易委员会呈报的其他存檔所载的资料,包括本公司于二零一五年四月二十八日随表格20-F向证券交易委员会呈报的年报,尤其是“风险因素”一节,以及本公司不时向证券交易委员会或香港联交所呈报的其他文件(包括表格6-K)。其他未知或未能预测的因素亦可能会对本公司的未来业绩、表现或成就造成重大不利影响。鉴于该等风险、不确定性、假设及因素,本文件所讨论的前瞻性事件可能不会发生。阁下务请小心,不应不当依赖该等前瞻性陈述,有关前瞻性陈述仅就该日期所述者发表,倘并无注明日期,则就本文件刊发日期发表。